Viimastel aastatel on uute energiatööstuste, näiteks fotogalvaanilise energia salvestamise ja elektrisõidukite (EV) kiire areng toonud kaasa DC-Link kondensaatorite nõudluse järsu kasvu. Lühidalt öeldes mängivad DC-Link kondensaatorid vooluringis olulist rolli. Need suudavad neelata siini otsas suuri impulssvoolusid ja siluda siini pinget, tagades, et IGBT ja SiC MOSFET lülitid on töötamise ajal kaitstud suurte impulssvoolude ja siirdepingete kahjulike mõjude eest.
Uute energiaautode siinipinge tõustes 400 V-lt 800 V-ni on kilekondensaatorite nõudlus märkimisväärselt suurenenud. Andmete kohaselt ulatus DC-Link õhukese kilega kondensaatoritel põhinevate elektriajamite inverterite paigaldatud võimsus 2022. aastal 5,1117 miljoni seadmeni, mis moodustas 88,7% elektrilise juhtimise paigaldatud võimsusest. Paljude juhtivate elektriajamite juhtimisettevõtete, näiteks Tesla ja Nideci, inverterid kasutavad kõik DC-Link kilekondensaatoreid, mis moodustavad 82,9% paigaldatud võimsusest ja on saanud elektriajamite turu peamiseks valikuks.
Uurimistööd näitavad, et räni IGBT poolsild-inverterites kasutatakse alalisvooluühenduses tavaliselt traditsioonilisi elektrolüütkondensaatoreid, kuid elektrolüütkondensaatorite kõrge ESR tõttu tekivad pingeimpulsid. Võrreldes ränipõhiste IGBT-lahendustega on SiC MOSFET-idel kõrgem lülitussagedus, seega on poolsild-inverteri alalisvooluühenduse pingeimpulsi amplituud suurem, mis võib põhjustada seadme jõudluse halvenemist või isegi kahjustusi, ning elektrolüütkondensaatorite resonantssagedus on vaid 4 kHz, mis ei ole piisav SiC MOSFET-inverterite voolupulsatsiooni absorbeerimiseks.
Seetõttu alalisvoolurakendustes, näiteks elektriajaminverterites ja fotogalvaanilistes inverterites, millel on kõrgemad töökindluse nõuded,kilekondensaatoridTavaliselt valitakse. Võrreldes alumiinium-elektrolüütkondensaatoritega on nende jõudluse eelisteks suurem pingetakistus, madalam ESR, polaarsuse puudumine, stabiilsem jõudlus ja pikem eluiga, saavutades seega tugevama pulsatsioonitakistuse ja usaldusväärsema süsteemi disaini.
Õhukese kilega kondensaatoreid kasutavad süsteemid saavad ära kasutada SiC MOSFETide kõrget sagedust ja väikest kadu ning vähendada passiivkomponentide suurust ja kaalu. Wolfspeedi uuringud näitavad, et 10 kW räni baasil valmistatud IGBT-inverter vajab 22 alumiinium-elektrolüütkondensaatorit, samas kui 40 kW SiC-inverter vajab ainult 8 õhukese kilega kondensaatorit ning samuti on trükkplaadi pindala oluliselt väiksem.
Turu nõudlusele reageerides käivitas YMIN Electronics tooteMDP-seeria kilekondensaatorid, mis kasutavad SiC MOSFET-ide ja ränipõhiste IGBT-de jaoks kohandumiseks täiustatud tehnoloogiat ja kvaliteetseid materjale. MDP-seeria kondensaatoritel on madal ESR, kõrge taluvuspinge, madal lekkevool ja kõrge temperatuuri stabiilsus.
YMIN Electronicsi kilekondensaatorite eelised:
YMIN Electronicsi kilekondensaatori disain kasutab madala ESR-i kontseptsiooni, et vähendada pingekoormust ja energiakadu lülitamise ajal ning parandada süsteemi energiatõhusust. Sellel on kõrge nimipinge, see kohandub kõrgepingekeskkondadega ja tagab süsteemi stabiilsuse.
MDP-seeria kondensaatorite mahtuvusvahemik on 1 μF–500 μF ja pingevahemik 500 V kuni 1500 V. Neil on madalam lekkevool ja kõrgem temperatuuristabiilsus. Kvaliteetsete materjalide ja täiustatud protsesside abil on loodud tõhus soojuse hajutamise struktuur, mis tagab stabiilse jõudluse kõrgetel temperatuuridel, pikendab kasutusiga ja pakub usaldusväärset tuge jõuelektroonikasüsteemidele. Samal ajal...MDP-seeria kondensaatoridon kompaktse suurusega, suure võimsustihedusega ning kasutavad uuenduslikke õhukese kile tootmisprotsesse, et parandada süsteemi integreerimist ja tõhusust, vähendada suurust ja kaalu ning suurendada seadmete kaasaskantavust ja paindlikkust.
YMIN Electronicsi DC-Link kilekondensaatorite seerial on 30% parem dv/dt tolerants ja 30% pikem kasutusiga, mis parandab SiC/IGBT vooluahelate töökindlust, toob kaasa parema kulutõhususe ja lahendab hinnaprobleemi.
Postituse aeg: 10. jaanuar 2025